中科院半导体研究所研究生导师介绍：常 凯

       常凯，中科院半导体所超晶格与微结构国家重点实验室研究员。1996年于北京师范大学获博士学位；1996年至1998年中科院半导体所博士后；1998年至2000年比利时安特卫普大学ResearchFellow；2006年香港中文大学杨振宁Fellowship。2001年获得百人计划资助任中科院半导体所研究员。2004年度国家自然科学二等奖获得者之一（夏建白、李树深、常凯、朱邦芬）。2005年度国家杰出青年基金获得者。研究领域主要是半导体纳米结构的物理性质和半导体自旋电子学，近年来主要研究兴趣集中在拓扑绝缘体和石墨烯方面。目前在国际核心物理学期刊Phys.Rev.Lett./Phys.Rev.B,Appl.Phys.Lett./J.Appl.Phys上共发表论文86篇。
　　从理论上预言了自组织InAs量子点和V型量子线中非对称的Stark效应，并被国际上著名的实验组证实和引用。在国际上较早开展对Core/Shell量子点的理论研究，并预言了可能存在II型激子。发现耦合量子阱中磁激子的基态是长寿命的暗激子，提出了磁Stark效应概念，解释了A.C.Gossard小组观测到的反常实验现象。
　　近期主要研究工作集中在半导体自旋电子学方面。发现为国际上广泛采用的线性Rashba自旋－轨道耦合模型在高电子浓度下严重偏离线性的行为，我们提出了非线性的Rashba模型能够很好地解释数值和实验结果，并提供了清晰的物理图象。我们的工作得到Rashba教授本人的肯定，他认为"对真实的物理来说，非线性效应非常重要，我们的工作令人印象深刻，效应显著，我们公式将会被广泛使用。"
　　研究了稀磁半导体量子点的g因子调控，理论和实验十分吻合，并预言了g因子从负到正的转变。我们的工作被国际同行评为"打开了通往许多有趣基础物理问题的途径"和"这一奇特的结果以前已经被报导过并提供了操纵和控制自旋特性新的可能性"。
　　内禀自旋Hall效应是近年来人们十分感兴趣的问题，它为全电的自旋器件提供了物理基础。考虑我们构造了包括电子和空穴的统一理论框架，可以有效地处理强自旋轨道耦合情形。我们发现量子相变可以引致自旋Hall电导的突变，从为本征自旋Hall效应的实验观测提供了物理依据。文章发表在Phys.Rev.Lett.100,056602(2008)。